التعبير العام لمنحدر العتبة الفرعية لمنحدر العتبة الفرعية إن منحدر العتبة الفرعية هو خاصيةلخاصية الجهد الحالي في MOSFET. في منطقة العتبة الفرعية ، يكون سلوك تيار التصريف - على الرغم من التحكم فيه بواسطة طرف البوابة - مشابهًا للتيار المتناقص الأسي للديود المنحاز للأمام. https://en.wikipedia.org ›wiki› Subthreshold_slope
منحدر العتبة الفرعية - ويكيبيديا
(التأرجح) هوS=(d (log10Ids) / dVgs) -1. أو من المؤامرة أعلاه ، عند Vgs منخفضة جدًا ، خذ مشتق قيم تسجيل المعرفات فيما يتعلق بـ Vgs ثم اقلب القيمة الناتجة.
ما المقصود بتأرجح العتبة الفرعية؟
يتم تعريف تأرجح العتبة الفرعية على أنه جهد البوابة المطلوب.لتغيير تيار التصريف بترتيب واحد من حيث الحجم ، واحد .عقد. في MOSFET ، يكون تأرجح العتبة الفرعية محدودًا. إلى (kT / q) ln10 أو 60 mV / dec في درجة حرارة الغرفة ، ومع
ما هو عامل ميل العتبة الفرعية؟
منحدر العتبة الفرعية هو سمة من سمات a MOSFET الحالي خاصية الجهد . … ديسمبر (عقد) يتوافق مع زيادة 10 مرات في تيار التصريف ID. جهاز يتميز بانحدار عتبة فرعي شديد الانحدار يعرض انتقالًا أسرع بين حالة إيقاف التشغيل (تيار منخفض) وحالة تشغيل (تيار مرتفع).
ما هي أهمية تأرجح العتبة الفرعية؟
تأرجح العتبة الفرعية هومعلمة مهمة فينمذجة نظام الانعكاس الضعيف، خاصة للتطبيقات التناظرية عالية الكسب ، ودوائر التصوير ، وتطبيقات الجهد المنخفض.
كيف يختلف تيار العتبة الفرعية باختلاف جهد البوابة؟
هذا التخفيض يعني تأرجحًا أقل لجهد البوابة أقل من العتبة لإيقاف تشغيل الجهاز ، وبما أن توصيل العتبة الفرعية يختلف بشكل كبير مع جهد البوابة (انظر MOSFET: وضع القطع) ، فإنه يصبح أكثر أهمية مع تقلص MOSFETsفي الحجم.
